ЭЛЕКТРОСТРИКЦИЯ

ЭЛЕКТРОСТРИКЦИЯ (от
электро-..
и
лат. strictio - стягивание, сжимание), деформация диэлектриков в электрич.
поле Е, пропорциональная квадрату напряжённости электрич. поля Е2и
не зависящая от изменения направления поля
Е
на обратное. Э. обусловлена
поляризацией
диэлектриков
в электрическом поле и имеет место у всех диэлектриков
- твёрдых, жидких и газообразных. Для твёрдых диэлектриков Э. очень мала
и не имеет практич. значения. Э. следует отличать от линейного по полю
обратного пьезоэффекта, к-рый на неск. порядков больше Э. и может наблюдаться
только в кристаллич. диэлектриках с определённой симметрией (см. Пьезоэлектричество).
Иногда
говорят о большой Э. у сегнетоэлектриков. В действительности, это обратный
пьезоэффект, но из-за возможности изменения направления спонтанной поляризации
доменов при изменении направления поля на противоположное деформация не
зависит от направления поля.


В анизотропных кристаллах Э. можно
описать зависимостью между 2 тензорами 2-го ранга - тензором квадрата напряжённости
электрич. поля и тензором деформации:

30-08-1.jpg


Здесь Гц - компонента тензора
деформации, ЕтЕсоставляющие электрич. поля. Коэфф.
Rкристаллов. Напр., для триклинных кристаллов тензоры Э. имеют 36 независимых
коэфф. для изотропных диэлектриков - 2. Величина Rij 10-14-
10-10. В поле Е 300 в*см Гц 10-6.
В изотропных средах, в т. ч. в газах и в жидкостях, Э. наблюдается как
изменение плотности под действием электрич. поля и описывается формулой:


&V/V = АЕ2(2)


где &V/V - относит, объёмная деформация,
А
-
постоянная Э., равная:

30-08-2.jpg


Здесь (3 - сжимаемость, р - плотность,
е - диэлектрич. проницаемость. Для ор-ганич. жидкостей (ксилол, толуол,
нитробензол) А 10-12.


Под действием переменного электрич.
поля частоты ш диэлектрик в результате Э. колеблется с частотой 2ш, что
характерно для квадратичных эффектов. Поэтому Э. может использоваться для
преобразования электрич. колебаний в звуковые.


Лит.: Желудев И. С., Ф о т ч
е н к о в А. А., Электрострикция линейных диэлектриков, "Кристаллография",
1958, т. 3, в. 3; Иона Ф., Ш и р а н е Д., Сегнетоэлектрические кристаллы,
пер. с англ., М., 1965; Же л у дев И. С., Основы сегнетоэлектричества,
М., 1973. И. С. Желудев.




А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я