ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ испускание
электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости. Э. э. возникает в случаях,
когда под влиянием внеш. воздействий часть электронов тела приобретает
энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера на границе
тела, или если под действием электрич. поля поверхностный потенциальный
барьер становится прозрачным для части электронов, обладающих внутри тела
наибольшими энергиями. Э. э. может возникать при нагревании тел {термоэлектронная
эмиссия), при бомбардировке электронами (вторичная электронная эмиссия),
ионами
(ионно-электронная
эмиссия) или фотонами (фотоэлектронная эмиссия).
В определённых
условиях (напр., при пропускании тока через полупроводник с высокой подвижностью
электронов или при приложении к нему сильного импульса электрич. поля)
электроны проводимости могут "нагреваться" значительно сильнее, чем кристаллич.
решётка, и часть из них может покинуть тело (эмиссия горячих электронов).

Для наблюдения Э. э. необходимо создать
у поверхности тела (эмиттера) внеш. ускоряющее электроны электрич. поле,
к-рое "отсасывает" электроны от поверхности эмиттера. Если это поле достаточно
велико (> 10² в/см), то оно уменьшает высоту потенциального
барьера на границе тела и соответственно работу выхода (Шотки эффект),
в
результате чего Э. э. возрастает. В сильных электрич. полях (10⁷в/см)
поверхностный
потенциальный барьер становится очень тонким и возникает туннельное "просачивание"
электронов сквозь него
(туннельная эмиссия),
иногда наз. также автоэлектронной
эмиссией. В результате одноврем. воздействия 2 или более факторов может
возникать термоавто- или фотоавтоэлектронная эмиссия. В очень сильных импульсных
электрич. полях ( 5*10⁷в/см) туннельная эмиссия приводит
к быстрому разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к
образованию вблизи поверхности плотной плазмы. Взаимодействие этой
плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение тока Э. э. до
10⁶
а
при длительности импульсов тока в неск. десятков
нсек
(взрывная
эмисси я). При каждом импульсе тока происходит перенос микроколичеств (
10-¹¹ г)
вещества эмиттера на анод.

Лит.: Добрецов Л. Н., Г о м о юn
н о в а М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Бугаев С. П., Воронцов-Вельяминов
П. Н., Искольд-с к и и А. М., Месяц С. А., П р о с к у р о в с к и и Д.
И., Ф у р с е и Г. Н., Явление взрывной электронной эмиссии, в сб.: Открытия
в СССР 1976 года, М., 1977.

Т. М. ЛиАшиц.

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я