ШОТКИ ДИОД
Шоттки диод, диод
с барьером Шотки, полупроводниковый диод, выполненный на основе
контакта металл - полупроводник; назван в честь нем. учёного В. Шотки,
создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д.
на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge)
наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного
испарения, катодного распыления
либо хим. или электролитич. осаждения.
В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным
переходом (в области этого перехода), возникает потенциальный барьер
(см.
также
Шотки барьер),
изменение высоты к-рого под действием внешнего
напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см., напр.,
рис. 2, т. 20, стр. 273). Ток через контакт металл - полупроводник, в отличие
от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только осн. носителями
заряда.
Структура детекторного Шотки диода:
/ - полупроводниковая подложка; 2 - эпитаксиальная плёнка; 3 - контакт
металл - полупроводник; 4 - металлическая плёнка; 5 - внешний контакт.
Отличит, особенности Ш. д. по сравнению
с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую
высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла;
значит, нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях;
очень малая инерционность (до 10-11 сек); низкий уровень
ВЧ шумов; технологич. совместимость с интегральными схемами;
простота
изготовления. Ш. д. служат гл. обр. СВЧ-диодами различного назначения (детекторными,
смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными);
кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения, детекторов
ядерного излучения, тензодатчиков, модуляторов света; их используют
также в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях и т. д.
Лит. см. при ст. Полупроводниковый
диод.
Ю. P. Носов.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я