ФОТОТЕРМОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ
электронный термомагнитный эффект, возникновение в однородном полупроводнике,
помещённом в магнитное поле Н, при облучении его электромагнитным
излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном
направлении. В результате поглощения излучения носителями тока в полупроводниках
изменяется их средняя энергия. Такой "разогрев" носителей неоднороден и
порождает поток более горячих носителей в направлении распространения излучения.
Т. к. в этом направлении полупроводник электрически разомкнут, то в противоположном
направлении появляется компенсирующий поток более холодных носителей. Время
их свободного пробега зависит от энергии, поэтому перпендикулярное к этим
потокам магнитное поле по-разному отклоняет горячие и холодные носители,
что приводит к появлению эдс.
В отличие от Нернста -
Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф. э. возникает
независимо от наличия градиента темп-ры кристаллич. решётки полупроводника
и градиента концентрации носителей. Эдс имеет наибольшую величину в полупроводниках
с малой эффективной массой носителей тока (напр., в InSb при низких темп-pax).
Используется для создания высокочувствительных малоинерционных приёмников
СВЧ- и инфракрасного излучения, применяемых в радиоастрономии, космич.
исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации.
Лит.: Электронный
термомагнитный эффект, "Радиотехника и электроника", 1963, т. 8, в. 6,
с. 994. Э. М. Этитейн.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я