ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ изменение
удельного электросопротивления твёрдого проводника (металла, полупроводника)
в
результате его деформации. Величина относит, изменения компонент тензора
электросопротивления



связана с тензором деформации
Uim через тензор четвёртого ранга Хim



На практике пользуются понятием
тензочувствительности



- относительное изменение длины
L
образца
под действием приложенной нагрузки в определённом направлении, Др/р-относительное
изменение удельного электросопротивления р вдоль этого направления.
В металлах k порядка единицы, в полупроводниках (напр., в Ge и Si)
в десятки и сотни раз больше.

Т. э. связан с изменением межатомных
расстояний при деформации, что влечёт за собой изменение структуры энергетич.
зон кристалла. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей
тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение
их между энергетич. максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной
зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление
новых дефектов, изменение фононного спектра). Т. э. применяется в тензодатчиках
сопротивлений,
служащих для измерения деформаций.

Лит.: Блатт Ф р. Д ж., Физика
электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; К и р
е е в П. С., Физика полупроводников, М., 1969; Ильинская Л. С., Подмарьков
А. H. Полупроводниковые тензодатчики, М.- Л. 1966; Г л а г о в с к н п
Б. А., П и в е н И. Д. Электротензометры сопротивления, 2 изд. Л., 1972.
Б.
А. Аронзон