РЕКОМБИНАЦИЯ
электронов и дырок
в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости - дырка в результате
перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии
может выделяться в виде излучения (излучательная Р.). Возможна также безызлучательная
Р., при к-рой энергия расходуется на возбуждение колебаний кристаллической
решётки или передаётся свободным носителям тока при тройных столкновениях
(ударная Р.). Р. может происходить как при непосредственном столкновении
электронов и дырок, так и через примесные центры (центры Р.), когда электрон
сначала захватывается из зоны проводимости на примесной уровень в запрещённой
зоне, а затем уже переходит в валентную зону. Скорость Р. (число актов
Р. в единицу времени) определяет концентрацию неравновесных носителей тока,
создаваемых внеш. воздействием (светом, быстрыми заряженными частицами
и т. п.), а также время восстановления равновесной концентрации после выключения
этого воздействия. Излучательная Р. проявляется в люминесценции кристаллов
и лежит в основе действия лазеров и светоэлектрических диодов.
Лит. см. при ст. Полупроводники.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я