ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОД
контакт
двух различных по химич. составу полупроводников. На границе раздела
изменяется обычно ширина запрещённой зоны ДЕ, подвижность носителей
тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В "резком"
П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем,
чем ширина области объёмного заряда (см. Электронно-дырочный переход).
В
зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать р-п-гетеропереходы
(анизотипные), р-р- и п - и-гетеропереходы (изотипные). Комбинации
различных П. г. и р-n-перехо-дов образуют гетероструктуры.
Идеальная стыковка кристаллич. решёток
в П. г. возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических
решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П. г. граница раздела
должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций, заряженных
центров и т. п.) и механич. напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллич.
П. г. между полупроводниковыми соединениями типа AII1BVи
их твёрдыми растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов
Ga и Аl. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и А1 изменение химического
состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллич.
П. г. и ге-тероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального
наращивания полупроводниковых кристаллов.
П. г. используются в различных полупроводниковых
приборах: полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах, фотоэлементах,
оптронах и т. д.
Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы
в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня
и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные
лазеры на гетеропереходах, "Квантовая электроника", 1972, № 6; Алферов
Ж. И., Инжекционные гетеролаэеры, в сб.: Полупроводниковые приборы и их
применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971. Ж. И. Алфёров.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я