ЛАВИННЫЙ ТРАНЗИСТОР
транзи.
стар, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких
к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация- приводящая
к увеличению числа носите, лей заряда в коллекторном переход- транзистора.
Устойчивая работа Л. те в предпробойной области обеспечивается, повышенной
однородностью распределения электрич. поля по площади коллекторного перехода.
Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р+-р
и п+-п; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см.
Эпи- таксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т.- возможность
получения отрицательного сопротивления в цепи "эмиттер - коллектор" и быстрое
нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких
импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать
мощные импульсы тока (до неск. а) со временем нарастания импульса менее
109 сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов
с частотой повторения до 100 Мгц используется в устройствах совпадения
импульсов и в стробоскопич. осциллографах. Наличие участка отри- цат. сопротивления
на вольтамперной характеристике Л. т. и малое эффективное значение времени
пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его
также в генераторах и усилителях электрич. колебаний дециметрового и сантиметрового
диапазонов волн. Ю. А. Кузнецов.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я